时间：2025/4/30 10:53:39
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BSC252N10NSF G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术，适用于高效率开关应用，广泛用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可显著降低系统功耗并提高整体性能。
BSC252N10NSF G 的封装形式为 TO-263-3 (D2PAK)，这种封装设计能够提供良好的额定电压为100V，最大持续漏极电流可达25A，适用于各种中高压应用场景。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷（典型值）：34nC
输入电容（典型值）：1170pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装类型：TO-263-3 (D2PAK)
BSC252N10NSF G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，从而提升系统的整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
3. 高雪崩耐量，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 良好的热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。
6. 内置二极管功能，简化电路设计并减少外部元件需求。
这款MOSFET的设计使其成为高性能功率转换和电机控制的理想选择。
BSC252N10NSF G 常见的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动和伺服系统。
3. 逆变器和太阳能微逆变器。
4. 汽车电子中的负载切换和DC-DC转换。
5. 各种电池管理系统（BMS）。
BSC252N10NS3, IRFB3207, FDP252AN
